IXTQ50N20P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 200В, 50А, 360Вт, TO3Р
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062084223
- Артикул
- IXTQ50N20P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- PolarHT Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTQ50N20
- Fall Time:
- 30 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные устройства переменного тока для электромобилей Компания Littelfuse предлагает широкий ассортимент продукции, подxодящей для зарядныx устройств переменного тока для электромобилей. Несмотря на то, что зарядные станции переменного тока более просты по сравнению с зарядными устройствами постоянного тока, они обеспечивают безопасную подачу переменного тока от электросети в автомобиль. Из-за ограниченного пространства и веса в автомобиле бортовые зарядные устройства и станции переменного тока обычно имеют меньшую мощность (22 кВт или менее), что означает, что время зарядки невелико и занимает несколько часов. Эти системы также используют бортовое зарядное устройство автомобиля, позволяющее преобразовывать переменный ток из сети в постоянный для зарядки аккумулятора автомобиля. Важно, чтобы были приняты надлежащие меры для обеспечения безопасности как зарядного устройства, так и автомобиля.
Технические параметры
| Type: | PolarHT Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTQ50N20 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 35 ns |
| Tradename: | PolarHT |
| Вес, г | 5.26 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3P-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 360 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |