Моя заявка (0)

IXTQ30N60L2, Транзистор N-MOSFET, 600В, 30А, 540Вт, TO3P, 710нс

IXTQ30N60L2, Транзистор N-MOSFET, 600В, 30А, 540Вт, TO3P, 710нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072513149
Артикул
IXTQ30N60L2
Бренд
Ixys Corporation
Type:
Linear L2 Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
43 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 2 277,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейные МОП-транзисторы питания с расширенным FBSOA Линейные МОП-транзисторы питания IXYS с расширенным FBSOA - это N-канальные МОП-транзисторы питания в режиме усиления, предназначенные для линейной работы в корпусе международного стандарта. Линейные силовые МОП-транзисторы IXYS с расширенным FBSOA оснащены миниблоком с изоляцией из нитрида алюминия, высокой плотностью мощности, компактным и простым в монтаже корпусом и формовочной эпоксидной смолой, соответствующей классификации воспламеняемости UL94 V-0.

Технические параметры

Type:Linear L2 Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:43 ns
Packaging:Tube
Rise Time:65 ns
Вес, г5.5
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-3P-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:335 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:540 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:43 ns
Typical Turn-Off Delay Time:123 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:10 S
Rds On - Drain-Source Resistance:240 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V

Техническая документация