IXTQ26P20P, MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007175315
- Артикул
- IXTQ26P20P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 5.5
- Длина
- 15.8 mm
- Серия
- IXTQ26P20
- Ширина
- 4.9 mm
Цена по запросу
(от 1 070 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -26А, 300Вт, ТО3Р Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 5.5 |
| Длина | 15.8 mm |
| Серия | IXTQ26P20 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 21 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Время нарастания | 33 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |