IXTQ26N50P, MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005506853
- Артикул
- IXTQ26N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 5.5
- Длина
- 15.8 mm
- Серия
- IXTQ26N50
- Высота
- 20.3 mm
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 26А, 400Вт, TO3P, 300нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 5.5 |
| Длина | 15.8 mm |
| Серия | IXTQ26N50 |
| Высота | 20.3 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 20 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Время нарастания | 25 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 31 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.23 Ом |