IXTQ22N50P, MOSFETs 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006236262
- Артикул
- IXTQ22N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 5.29
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 350Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 798,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, 500В, 22А, 350Вт, TO3P, 400нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 5.29 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 350Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.27Ом |
| Линейка Продукции | Polar |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 22А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 350 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом |