IXTQ130N10T, 100V 130A 9.1mOhm@10V,25A 360W 4.5V@250uA N Channel TO-3P MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017625055
- Артикул
- IXTQ130N10T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 28 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 575,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 28 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 47 ns |
| Вес, г | 7.06 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-3P-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Power Dissipation (Pd) | 360W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 104nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.08nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 44 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 130A |
| Id - Continuous Drain Current: | 130 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9.1mΩ@10V, 25A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 360 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.1mΩ@10V, 25A |