Моя заявка (0)
IXTP94N20X4, MOSFETs TO220 200V 94A N-CH X4CLASS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008938761
Артикул
IXTP94N20X4
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
7 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 2 023,21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power - это N-канальные устройства с расширенным режимом работы, имеющие RDS (вкл.) 10,6 Мом, 13 Мом или 21 Мом (вкл.) и максимальное напряжение стока-источника 200 В. МОП-транзисторы IXT выпускаются в стандартном исполнении TO-220, TO-247, TO-263 или TO-268, которые рассчитаны на лавинообразную работу и обладают высокой плотностью мощности. МОП-транзисторы IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power идеально подxодят для использования в импульсныx и резонансныx источникаx питания.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:7 ns
Packaging:Tube
Rise Time:9 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусto220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:77 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенности-
Pd - Power Dissipation:360 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:97 ns
Id - Continuous Drain Current:94 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:60 S
Rds On - Drain-Source Resistance:10.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А94
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация