IXTP90N055T2, Транзистор N-MOSFET, 55В, 90А, 150Вт, TO220-3, 37нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009211841
- Артикул
- IXTP90N055T2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Type:
- TrenchT2 Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 375,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Type: | TrenchT2 Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 2.05 |
| Gate charge | 42nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 90A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 150W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 8.4mΩ |
| Drain-source voltage | 55V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 37ns |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |