IXTP8N65X2M, MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005545079
- Артикул
- IXTP8N65X2M
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 16.07mm
- Series
- X2-Class
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 610 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 8А, 32Вт, TO220FP, 200нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 16.07mm |
| Series | X2-Class |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220F |
| Корпус | to220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 32 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |