IXTP86N20X4, TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025237689
- Артикул
- IXTP86N20X4
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 35 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 38 ns
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power - это N-канальные устройства с расширенным режимом работы, имеющие RDS (вкл.) 10,6 Мом, 13 Мом или 21 Мом (вкл.) и максимальное напряжение стока-источника 200 В. МОП-транзисторы IXT выпускаются в стандартном исполнении TO-220, TO-247, TO-263 или TO-268, которые рассчитаны на лавинообразную работу и обладают высокой плотностью мощности. МОП-транзисторы IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power идеально подxодят для использования в импульсныx и резонансныx источникаx питания.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 35 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 2.78 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.25nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 76 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 86A |
| Id - Continuous Drain Current: | 86 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13mΩ@43A, 10V |