IXTP86N20T, MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006248099
- Артикул
- IXTP86N20T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Тип
- Trench Gate Power MOSFET
- Вес, г
- 2.3
- Длина
- 10.66 mm
- Серия
- IXTP86N20
Цена по запросу
(от 891 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 86 Amps 200V 29 Rds
Технические параметры
| Тип | Trench Gate Power MOSFET |
| Вес, г | 2.3 |
| Длина | 10.66 mm |
| Серия | IXTP86N20 |
| Высота | 16 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 29 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Время нарастания | 24 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 480 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 86 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 29 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 52 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 86 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 46 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |