IXTP80N12T2-VB, 100V 100A 8.52m-@10V,30A 250W 3.5V@250uA 265pF@20V N Channel 6.55nF@20V 105nC@20V -55-~+175-@(Tj) TO-220AB-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015852231
- Артикул
- IXTP80N12T2-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 2.06
- Корпус
- TO-220AB
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 100 А 8.52mOhm@10V,30 250 Вт 3.5V@250uA N-канальный TO-220AB-3 МОП-транзистора, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.06 |
| Корпус | TO-220AB |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 105nC@20V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.55nF@20V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 265pF@20V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.52mΩ@10V, 30A |