Моя заявка (0)

IXTP80N075L2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 357Вт, TO220-3, 160нс

IXTP80N075L2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 357Вт, TO220-3, 160нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066258847
Артикул
IXTP80N075L2
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Mounting
THT
Вес, г
2.07
Gate charge
103nC
Цена по запросу
(от 1 530 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 357Вт, TO220-3, 160нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
Вес, г2.07
Gate charge103nC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Drain current80A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation357W
Type of transistorN-MOSFET
On-state resistance24mΩ
Drain-source voltage75V
ТехнологияSi
Reverse recovery time160ns
Вид монтажаThrough Hole
Время спада12 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора103 nC
Время нарастания35 ns
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности357 W
Id - непрерывный ток утечки80 A
Коммерческое обозначениеLinearL2
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения40 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.24 S

Техническая документация