IXTP76P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437433
- Артикул
- IXTP76P10T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Technology
- TrenchP™
- Вес, г
- 2.03
Цена по запросу
(от 696,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Technology | TrenchP™ |
| Вес, г | 2.03 |
| Gate charge | 197nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO220AB |
| Drain current | -76A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 298W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±15V |
| On-state resistance | 25mΩ |
| Drain-source voltage | -100V |
| Reverse recovery time | 70ns |
| Power Dissipation (Pd) | 298W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 197nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13.7nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 76A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 76 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 298 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25mΩ@38A, 10V |