IXTP76N25T, MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006222550
- Артикул
- IXTP76N25T
- Бренд
- Ixys Corporation
- RoHS
- Details
- Brand
- IXYS
- Brand:
- IXYS
- Series
- IXTP76N25
Цена по запросу
(от 891 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | IXYS |
| Brand: | IXYS |
| Series | IXTP76N25 |
| Fall Time | 29 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 25 ns |
| Fall Time: | 29 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2.3 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.08113 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | IXYS |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 92 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation | 460 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 460 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 76 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 76 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 39 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -40 V, +40 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 76 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 460 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |