Моя заявка (0)

HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 62 A, 150 V, 3-Pin TO-220 IXTP62N15P

HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 62 A, 150 V, 3-Pin TO-220 IXTP62N15P

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014493673
Артикул
IXTP62N15P
Бренд
Ixys Corporation
Width
4.83mm
Series
HiperFET, Polar
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 230 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 62 Amps 150V 0.04 Rds

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesHiperFET, Polar
Pin Count3
Вес, г1
Длина10.66 mm
СерияIXTP62N15
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Высота9.15 mm
КорпусTO-220
Ширина4.83 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада35 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation350 W
Typical Gate Charge @ Vgs70 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage5.5V
Maximum Drain Source Resistance40 mΩ
Время нарастания38 ns
Maximum Continuous Drain Current62 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности350 W
Id - непрерывный ток утечки62 A
Крутизна характеристики, S24
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток150 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения76 ns
Типичное время задержки при включении27 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А62
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт350
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.04 Ом/31А, 10В

Техническая документация