IXTP50N25T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 50А, 400Вт, TO220-3, 166нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075243839
- Артикул
- IXTP50N25T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 2.3
- Серия
- IXTP50N25
- Корпус
- to220
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 1 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 50А, 400Вт, TO220-3, 166нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 2.3 |
| Серия | IXTP50N25 |
| Корпус | to220 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 78 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |