HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 50 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IXTP50N20P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8827609262
- Артикул
- IXTP50N20P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Width
- 4.83mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 2 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстродействующим встроенным диодом (HiPerFET™) от IXYS - широкий ассортимент современныx дискретныx силовыx МОП-транзисторов от IXYSundefined
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Width | 4.83mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | PolarHT™ |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 70nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 50A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power Dissipation | 360Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 200V |
| Reverse recovery time | 150ns |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 360 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.06Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Линейка Продукции | PolarHT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Рассеиваемая Мощность | 360Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.06Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 360 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |