IXTP4N65X2,Power MOSFET, X2-Class, N Channel, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8228763615
- Артикул
- IXTP4N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand
- IXYS
- Width
- 15.9mm
- Series
- X2-Class
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 592 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия мощныx МОП-транзисторов IXYS класса X2 значительно снижает сопротивление и заряд затвора по сравнению с предыдущими поколениями мощныx МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и повышению эффективности работы.
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Width | 15.9mm |
| Series | X2-Class |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 22.68 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 Ом |