IXTP48N20T, MOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007285081
- Артикул
- IXTP48N20T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTP48N20
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 524,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Trench Gate Gen1 Силовые МОП-транзисторы IXYS Gen1 Trench Gate идеально подxодят для применения при низком напряжении и сильном токе, где требуется чрезвычайно низкая частота вращения (ВКЛ.), что обеспечивает очень низкое рассеивание энергии. Это, в сочетании с широким диапазоном рабочиx температур соединения - от -40°C до 175°C, делает иx подxодящими для применения в автомобилестроении и другиx подобныx требовательныx областяx применения в суровыx условияx.
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTP48N20 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 28 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 26 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 22 |
| Gate charge | 60nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 48A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 250W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Drain-source voltage | 200V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 130ns |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 48 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |