Моя заявка (0)

Транзистор полевой IXTP44P15T MOSFET P-CH 150V 44A

Транзистор полевой IXTP44P15T MOSFET P-CH 150V 44A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070018081
Артикул
IXTP44P15T
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Brand:
IXYS
Series:
IXTP44P15
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 650 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IXTP44P15T — изделие серии IXTP44. Характеристики Обозначение: IXTP44P15T Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET P-CH 150V 44A Масса: 2 г Производитель: IXYS Единица измерения: шт

Технические параметры

CaseTO220AB
Brand:IXYS
Series:IXTP44P15
MountingTHT
Fall Time:17 ns
Packaging:Tube
Rise Time:42 ns
TechnologyTrenchP™
Вес, г2
Gate charge175nC
Technology:Si
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current-44A
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 P-Channel
Power dissipation298W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:175 nC
Type of transistorP-MOSFET
Gate-source voltage±15V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance65mΩ
Drain-source voltage-150V
Transistor Polarity:P-Channel
Reverse recovery time140ns
Pd - Power Dissipation:298 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-15 V, +15 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:50 ns
Id - Continuous Drain Current:44 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:45 S
Rds On - Drain-Source Resistance:65 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50

Техническая документация