Моя заявка (0)
IXTP3N50D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006256056
Артикул
IXTP3N50D2
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Тип
Depletion Mode MOSFET
Mounting
THT
Вес, г
2.3
Цена по запросу
(от 585,23 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 3A

Технические параметры

CaseTO220AB
ТипDepletion Mode MOSFET
MountingTHT
Вес, г2.3
Длина10.66 mm
СерияIXTP3N50
Gate charge1.07µC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Высота16 mm
Ширина4.83 mm
Drain current3A
Kind of channeldepleted
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation125W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
On-state resistance1.5Ω
Drain-source voltage500V
ТехнологияSi
Reverse recovery time24ns
Вид монтажаThrough Hole
Время спада42 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимDepletion
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора40 nC
Время нарастания71 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности125 W
Id - непрерывный ток утечки3 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения56 ns
Типичное время задержки при включении27 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.1.3 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В