IXTP3N100D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006256495
- Артикул
- IXTP3N100D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 2.3
- Серия
- IXTP3N100
- Упаковка
- Tube
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 652,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 3А, 125Вт, TO220-3, 17нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 2.3 |
| Серия | IXTP3N100 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |