Моя заявка (0)

IXTP34N65X2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Through Hole

IXTP34N65X2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003720883
Артикул
IXTP34N65X2
Бренд
Ixys Corporation
Type:
X2-Class
Brand:
IXYS
Product:
Power MOSFET Modules
Fall Time:
30 ns
Цена по запросу
(от 1 930 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 34А, 540Вт, TО220АВ Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Type:X2-Class
Brand:IXYS
Product:Power MOSFET Modules
Fall Time:30 ns
Packaging:Tube
Rise Time:48 ns
Tradename:HiPerFET
Вес, г4
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Power Dissipation540Вт
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:540 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:68 ns
Id - Continuous Drain Current:34 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.096Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:96 mOhms
Линейка ПродукцииX2-Class
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Непрерывный Ток Стока34А
Рассеиваемая Мощность540Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.096Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А34
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.096 Ом

Техническая документация