Моя заявка (0)

IXTP2R4N120P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 2,4А, Idm: 6А, 125Вт

IXTP2R4N120P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 2,4А, Idm: 6А, 125Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001488537
PartNumber
IXTP2R4N120P
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
2.06
Структура
MOSFET
Пороговое напряжение на затворе
1.2…2.2
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
125
Цена по запросу
(от 828 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 2,4А, Idm: 6А, 125Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г2.06
СтруктураMOSFET
Пороговое напряжение на затворе1.2…2.2
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В125
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация