IXTP2N100P, MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007110727
- Артикул
- IXTP2N100P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 27 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 29 ns
Цена по запросу
(от 574 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 27 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 29 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 24.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 86 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5 Ohms |