Моя заявка (0)

Транзистор полевой IXTP26P20P MOSFET P-Ch 26A 200V 0.170 Rds 300W

Транзистор полевой IXTP26P20P MOSFET P-Ch 26A 200V 0.170 Rds 300W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070018080
Артикул
IXTP26P20P
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Mounting
THT
Technology
PolarP™
Вес, г
2
Цена по запросу
(от 780 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IXTP26P20P — изделие серии IXTP26. Характеристики Обозначение: IXTP26P20P Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET P-Ch 26A 200V 0.170 Rds 300W Масса: 2 г Производитель: IXYS Единица измерения: шт

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
TechnologyPolarP™
Вес, г2
Длина10.66 mm
СерияIXTP26P20
Gate charge56nC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Высота9.15 mm
Ширина4.83 mm
Drain current-26A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation300W
Type of transistorP-MOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.17Ω
Drain-source voltage-200V
ТехнологияSi
Reverse recovery time240ns
Вид монтажаThrough Hole
Время спада21 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220AB-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора56 nC
Время нарастания33 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности300 W
Id - непрерывный ток утечки26 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток170 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения46 ns
Типичное время задержки при включении18 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.10 S

Техническая документация