IXTP26P20P, P-Ch 200V 26A 300W 0,17R TO220AB
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009493135
- Артикул
- IXTP26P20P
- Бренд
- Littelfuse
- RoHS
- Details
- Brand
- IXYS
- Width
- 4.83 mm
- Height
- 9.15 mm
Цена по запросу
(от 1 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Mosfet, P-Ch, 200 В, 26 А, To-220Ab Соответствует требованиям Rohs: Да |Ixys Semiconductor IXTP26P20P
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | IXYS |
| Width | 4.83 mm |
| Height | 9.15 mm |
| Length | 10.66 mm |
| Series | IXTP26P20 |
| Fall Time | 21 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 33 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 3 |
| Unit Weight | 0.08113 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | IXYS |
| Корпус | TO220AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -26 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 170 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |