Моя заявка (0)

IXTP24N65X2M, Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 24А, 37Вт, TO220FP

IXTP24N65X2M, Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 24А, 37Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023331977
Артикул
IXTP24N65X2M
Бренд
Ixys Corporation
Тип
X2-Class
Вес, г
2.2
Channel Type
N Channel
Продукт
Power MOSFET Modules
Цена по запросу
(от 528 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

Технические параметры

ТипX2-Class
Вес, г2.2
Channel TypeN Channel
ПродуктPower MOSFET Modules
УпаковкаTube
Power Dissipation37Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада19 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора36 nC
Время нарастания25 ns
Drain Source On State Resistance0.145Ом
Линейка ПродукцииX2-Class
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока24А
Рассеиваемая Мощность37Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs5В
Pd - рассеивание мощности390 W
Id - непрерывный ток утечки24 A
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки50
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток145 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения50 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.145Ом

Техническая документация