IXTP24N65X2M, Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 24А, 37Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023331977
- Артикул
- IXTP24N65X2M
- Бренд
- Ixys Corporation
- Тип
- X2-Class
- Вес, г
- 2.2
- Channel Type
- N Channel
- Продукт
- Power MOSFET Modules
Цена по запросу
(от 528 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Технические параметры
| Тип | X2-Class |
| Вес, г | 2.2 |
| Channel Type | N Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 37Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 19 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Время нарастания | 25 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.145Ом |
| Линейка Продукции | X2-Class |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 24А |
| Рассеиваемая Мощность | 37Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 390 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.145Ом |