Моя заявка (0)

IXTP230N075T2, Транзистор N-MOSFET, 75В, 230А, 480Вт, TO220-3, 66нс

IXTP230N075T2, Транзистор N-MOSFET, 75В, 230А, 480Вт, TO220-3, 66нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062579301
Артикул
IXTP230N075T2
Бренд
Ixys Corporation
Type
N Channel
Brand:
IXYS
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 853,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

75 В 230 А 4.2mOhm@10V,50 480 Вт, 4 В при 250 мкА, N-канальный TO-220 МОП-транзисторов, соответствующий требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Brand:IXYS
Fall Time:15 ns
Packaging:Tube
Rise Time:18 ns
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:178 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:50
Power Dissipation (Pd)480W
Pd - Power Dissipation:480 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)178nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:23 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)10.5nF@25V
Typical Turn-Off Delay Time:33 ns
Continuous Drain Current (Id)230A
Id - Continuous Drain Current:230 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:50 S
Rds On - Drain-Source Resistance:4.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:75 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация