IXTP1R6N50D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8006251221
Артикул: IXTP1R6N50D2
Бренд: Ixys Corporation
Вес, г: 2.3
Серия: IXTP1R6N50
Продукт: MOSFET
Упаковка: Tube

Цена по запросу

(от 595 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 100Вт, TO220-3, 400нм Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г	2.3
Серия	IXTP1R6N50
Продукт	MOSFET
Упаковка	Tube
Структура	N-Channel
Технология	Si
Вид монтажа	Through Hole
Время спада	41 ns
Особенности	высоковольтный
Тип продукта	MOSFET
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Торговая марка	IXYS
Упаковка / блок	TO-220-3
Канальный режим	Depletion
Тип транзистора	1 N-Channel
Qg - заряд затвора	23.7 nC
Время нарастания	70 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Полярность транзистора	N-Channel
Pd - рассеивание мощности	100 W
Id - непрерывный ток утечки	1.6 A
Размер фабричной упаковки	50
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Пороговое напряжение на затворе	2.7V@250uA
Минимальная рабочая температура	55 C
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.6
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.75 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	218mΩ@1.6A, 10V