IXTP1R6N100D2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 1,6А, 100Вт, TO220-3, 11нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069806411
- Артикул
- IXTP1R6N100D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 2.06
- Gate charge
- 645nC
Цена по запросу
(от 525,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 1,6А, 100Вт, TO220-3, 11нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 2.06 |
| Gate charge | 645nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to220 |
| Drain current | 1.6A |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 100W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 10Ω |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Reverse recovery time | 11ns |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.6 Ohms |