Моя заявка (0)
IXTP18P10T, MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006218985
Артикул
IXTP18P10T
Бренд
Ixys Corporation
Тип
TrenchP Power MOSFET
Вес, г
2.07
Длина
10.66 mm
Серия
IXTP18P10
Цена по запросу
(от 344,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -18А, 83Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

ТипTrenchP Power MOSFET
Вес, г2.07
Длина10.66 mm
СерияIXTP18P10
Высота16 mm
Ширина4.83 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада22 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора39 nC
Время нарастания26 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Id - непрерывный ток утечки18 A
Коммерческое обозначениеTrenchP
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток15 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения44 ns
Типичное время задержки при включении19 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.8 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В