IXTP170N075T2, Транзистор N-МОП, полевой, 75В 170A 360Вт 0,0054Ом TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004082996
- Артикул
- IXTP170N075T2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- TrenchT2 Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 19 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 567,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Type: | TrenchT2 Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 2.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 109 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 40 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 360 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 0054Ом |