Моя заявка (0)

IXTP160N10T, Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 100В, 160А, 430Вт, TО220АВ

IXTP160N10T, Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 100В, 160А, 430Вт, TО220АВ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061942201
Артикул
IXTP160N10T
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Mounting
THT
Technology
Trench™
Вес, г
2.04
Цена по запросу
(от 682,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 100В, 160А, 430Вт, TО220АВ Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
TechnologyTrench™
Вес, г2.04
Gate charge132nC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Drain current160A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation430W
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance7mΩ
Drain-source voltage100V
Reverse recovery time60ns

Техническая документация