IXTP160N10T, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003720881
- Артикул
- IXTP160N10T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Technology
- Trench™
- Вес, г
- 4
Цена по запросу
(от 1 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 100В, 160А, 430Вт, TО220АВ Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Technology | Trench™ |
| Вес, г | 4 |
| Gate charge | 132nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 160A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 430W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 7mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Reverse recovery time | 60ns |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 430 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0061 Ом |