Моя заявка (0)

IXTP15N50L2,Power MOSFET, LINEAR L2™, N Channel, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Through Hole

IXTP15N50L2,Power MOSFET, LINEAR L2™, N Channel, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8823368149
Артикул
IXTP15N50L2
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Тип
Linear L2 Power MOSFET
Mounting
THT
Вес, г
3
Цена по запросу
(от 2 690 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор LINEAR L2 SERIES МОП-транзистор 500V 15A

Технические параметры

CaseTO220AB
ТипLinear L2 Power MOSFET
MountingTHT
Вес, г3
Длина10.66 mm
СерияIXTP15N50
Gate charge123nC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Высота16 mm
КорпусTO-220
Ширина4.83 mm
Drain current15A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation300W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
On-state resistance0.48Ω
Drain-source voltage500V
ТехнологияSi
Reverse recovery time570ns
Вид монтажаThrough Hole
Время спада65 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора123 nC
Время нарастания73 ns
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности300 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Коммерческое обозначениеLinear L2
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток480 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения110 ns
Типичное время задержки при включении38 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.4.5 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.48 Ом

Техническая документация