Моя заявка (0)

IXTP130N15X4, Транзистор N-MOSFET, 150В, 130А, 400Вт, TO220-3, 93нс

IXTP130N15X4, Транзистор N-MOSFET, 150В, 130А, 400Вт, TO220-3, 93нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010483759
Артикул
IXTP130N15X4
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Mounting
THT
Вес, г
3
Gate charge
87nC
Цена по запросу
(от 977,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
Вес, г3
Gate charge87nC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Корпусto220
Drain current130A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation400W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
On-state resistance8.5mΩ
Drain-source voltage150V
ТехнологияSi
Reverse recovery time93ns
Вид монтажаThrough Hole
Время спада10 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора87 nC
Время нарастания27 ns
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности400 W
Id - непрерывный ток утечки130 A
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток150 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения100 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт400
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20 V, +20 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8.5 mOhms

Техническая документация