IXTP12N70X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 12А, Idm: 24А, 180Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010478497
- Артикул
- IXTP12N70X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 2.07
- Gate charge
- 19nC
Цена по запросу
(от 1 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 12А, Idm: 24А, 180Вт, TO220AB
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 2.07 |
| Gate charge | 19nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO220AB |
| Drain current | 12A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 180W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.3Ω |
| Drain-source voltage | 700V |
| Pulsed drain current | 24A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 180 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |