Моя заявка (0)

IXTP120P065T, Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -65В, -120А, 298Вт, 53нс

IXTP120P065T, Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -65В, -120А, 298Вт, 53нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8035321948
Артикул
IXTP120P065T
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Mounting
THT
Technology
TrenchP™
Вес, г
2.06
Цена по запросу
(от 1 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -65В, -120А, 298Вт, 53нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
TechnologyTrenchP™
Вес, г2.06
Gate charge185nC
No. of Pins3Pins
Channel TypeP Channel
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Drain current-120A
Product RangeTrenchP
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation298W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±15V
On-state resistance10mΩ
Transistor MountingThrough Hole
Drain-source voltage-65V
Reverse recovery time53ns
Transistor Case StyleTO-220AB
Особенности-
Drain Source Voltage Vds65V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id120A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В298
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт298
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация