IXTP120P065T, MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006240970
- Артикул
- IXTP120P065T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Technology
- TrenchP™
- Вес, г
- 2.06
Цена по запросу
(от 953,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -65В, -120А, 298Вт, 53нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Technology | TrenchP™ |
| Вес, г | 2.06 |
| Gate charge | 185nC |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -120A |
| Product Range | TrenchP |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 298W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±15V |
| On-state resistance | 10mΩ |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Drain-source voltage | -65V |
| Reverse recovery time | 53ns |
| Transistor Case Style | TO-220AB |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 65V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 120A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 298 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |