Моя заявка (0)

IXTP120N20X4, MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

IXTP120N20X4, MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018640096
Артикул
IXTP120N20X4
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
12 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
24 ns
Цена по запросу
(от 1 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs IXYS IX4 Ultra-Junction Power - это МОП-транзисторы с лавинным режимом работы, N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления и пробивным напряжением 200 В между стоком и источником. МОП-транзисторы IXYS IX4 Ultra-Junction Power поставляются в корпусе TO-220 (IXTP) или TO-263 (IXTA) и обеспечивают постоянный ток разряда 86 А или 94 А.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:12 ns
Packaging:Tube
Rise Time:24 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:108 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенности-
Pd - Power Dissipation:417 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:100 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:72 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация