IXTP10P50P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -500В, -10А, 300Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008523373
- Артикул
- IXTP10P50P
- Бренд
- Littelfuse
- Case
- TO220AB
- Q(g)
- 50 nC
- Type
- P Channel
- V(DS)
- 500 V
Цена по запросу
(от 1 550 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -500В, -10А, 300Вт, TO220AB
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Q(g) | 50 nC |
| Type | P Channel |
| V(DS) | 500 V |
| P(tot) | 300 W |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 0.42 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Automotive | NO |
| Technology | PolarP™ |
| Вес, г | 4 |
| Gate charge | 50nC |
| Logic level | NO |
| No. of Pins | 3Pins |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO220AB |
| Configuration | P-CH |
| Drain current | -10A |
| Product Range | PolarP |
| RDS(on)at 10V | 1000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 10 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 300W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1Ω |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Drain-source voltage | -500V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Reverse recovery time | 414ns |
| Transistor Case Style | TO-220AB |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 500V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 50nC@10V |
| Continuous Drain Current Id | 10A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.84nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |