Моя заявка (0)
IXTP10P50P, MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005506846
Артикул
IXTP10P50P
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Q(g)
50 nC
Type
P Channel
V(DS)
500 V
Цена по запросу
(от 934,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

500 В 10 А 300 Вт 1 ОМ при 5 А, 10 В 4 В при 250uA P-канал TO-220-3 МОП-транзистора ROHS

Технические параметры

CaseTO220AB
Q(g)50 nC
TypeP Channel
V(DS)500 V
P(tot)300 W
PackageTO-220
R(thJC)0.42 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
AutomotiveNO
TechnologyPolarP™
Вес, г1
Gate charge50nC
Logic levelNO
No. of Pins3Pins
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeP Channel
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
ConfigurationP-CH
Drain current-10A
Product RangePolarP
RDS(on)at 10V1000 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C10 A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation300W
Type of transistorP-MOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1Ω
Transistor MountingThrough Hole
Drain-source voltage-500V
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Reverse recovery time414ns
Transistor Case StyleTO-220AB
Power Dissipation (Pd)300W
Drain Source Voltage Vds500V
Operating Temperature Max150°C
Total Gate Charge (Qg@Vgs)50nC@10V
Continuous Drain Current Id10A
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.84nF@25V
Continuous Drain Current (Id)10A
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V

Техническая документация