Моя заявка (0)
IXTP100N04T2, MOSFETs 100 Amps 40V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006223570
Артикул
IXTP100N04T2
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Mounting
THT
Вес, г
57
Длина
10.66 mm
Цена по запросу
(от 433 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100 Amps 40V

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
Вес, г57
Длина10.66 mm
СерияIXTP100N04
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Высота9.15 mm
Ширина4.83 mm
Drain current100A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation150W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
On-state resistance7mΩ
Drain-source voltage40V
ТехнологияSi
Reverse recovery time34ns
Вид монтажаThrough Hole
Время спада6.4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания5.2 ns
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности150 W
Id - непрерывный ток утечки100 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения15.8 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация