IXTP08N50D2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 0,8А, 60Вт, TO220-3, 11нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003794244
- Артикул
- IXTP08N50D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Brand:
- IXYS
- Mounting
- THT
- Fall Time:
- 52 ns
Цена по запросу
(от 399,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с напряжением от 100 В до 1700 В представляют собой устройства с разрядным режимом, которые работают в обычном "включенном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия IXYS D2 обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx, такиx как аварийная или оxранная сигнализация.
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 52 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 54 ns |
| Вес, г | 2.07 |
| Gate charge | 312nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Depletion |
| Drain current | 0.8A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Power dissipation | 60W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12.7 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 4.6Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 11ns |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 800 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 340 mS |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.6 Ohms |