IXTP08N100P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,8А, 42Вт, TO220-3, 750нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073138184
- Артикул
- IXTP08N100P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 2.06
- Длина
- 10.66 mm
- Серия
- IXTP08N100
- Высота
- 9.15 mm
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 0.8 Amps 1000V 20 Rds
Технические параметры
| Вес, г | 2.06 |
| Длина | 10.66 mm |
| Серия | IXTP08N100 |
| Высота | 9.15 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 34 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 37 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |