IXTP08N100D2,Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003730914
- Артикул
- IXTP08N100D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Brand:
- IXYS
- Mounting
- THT
- Fall Time:
- 48 ns
Цена по запросу
(от 1 650 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 0,8A 60Вт 21Ом TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 48 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 57 ns |
| Вес, г | 4 |
| Gate charge | 325nC |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-220AB |
| Channel Mode: | Depletion |
| Drain current | 0.8A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 60W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 14.6 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 21Ω |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | TO-220AB |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Drain Source Voltage Vds | 1kV |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 800mA |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 800 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 330 mS |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 220 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 21ohm |