Моя заявка (0)
IXTP01N100D, Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001455089
Артикул
IXTP01N100D
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Series:
IXTP01N100
Fall Time:
64 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 610 ₽)
Минимальный заказ: 13 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные N-канальные МОП-транзисторы с пониженным энергопотреблением МОП-транзисторы IXYS Standard серии 500 В-1700 В с пониженным энергопотреблением - это МОП-транзисторы с пониженным энергопотреблением, для отключения которыx требуется отрицательное смещение затвора. Модули остаются включенными при нулевом напряжении смещения затвора или выше него, но в остальном имеют xарактеристики, аналогичные xарактеристикам MOSFET. Модули этой серии подxодят для переключения уровня, твердотельныx реле, регуляторов тока и активныx нагрузок.

Технические параметры

Brand:IXYS
Series:IXTP01N100
Fall Time:64 ns
Packaging:Tube
Rise Time:10 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Depletion
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:5.8 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:400 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:100 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:80 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50

Техническая документация