IXTN40P50P, MOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005629252
- Артикул
- IXTN40P50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Product:
- MOSFET Modules
- Fall Time:
- 34 ns
Цена по запросу
(от 7 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | Polar Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Product: | MOSFET Modules |
| Fall Time: | 34 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 59 ns |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Vr - Reverse Voltage: | 100 V |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 890 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 37 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 230 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |